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MJD350中文资料

MJD350图片

MJD350外观图

  • 大小：38.61KB
  • 厂家：KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]
  • 描述：PNP Epitaxial Silicon Transistor
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
  • 最大直流电集电极电流：0.5 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：30 at 50 mA at 10 V
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-252-3 (DPAK)
  • 封装：Tube
  • 集电极连续电流：0.5 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：15 W
  • 工厂包装数量：75

MJD350供应商

更新时间:2023-01-21 09:59:36
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